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© STMicroelectronics
Semiconductores |

ST se asocia con Sanan para impulsar el ecosistema SiC en China

STMicroelectronics y Sanan Optoelectronics han firmado un acuerdo para crear una nueva empresa conjunta de fabricación de dispositivos de carburo de silicio (SiC) de 200 mm (8 pulgadas) en Chongqing, China.

Se prevé que la nueva fábrica de carburo de silicio empiece a producir en el cuarto trimestre de 2025 y que esté totalmente terminada en 2028, según un comunicado de prensa. La fábrica responderá a la creciente demanda de electrificación de automóviles en el país, así como de aplicaciones industriales y energéticas. 

Paralelamente, Sanan Optoelectronics construirá y explotará por separado una nueva planta de fabricación de sustratos de carburo de silicio de 200 mm para satisfacer las necesidades de la empresa conjunta, utilizando su propio proceso de fabricación de sustratos de carburo de silicio.

La empresa conjunta fabricará dispositivos de carburo de silicio exclusivamente para STMicroelectronics, utilizando la tecnología de proceso de fabricación de carburo de silicio propia de ST, y actuará como fundición dedicada a ST.

Para alcanzar este objetivo, se espera que la construcción total de la empresa conjunta cueste aproximadamente 3 200 millones USD, incluidos gastos de capital de unos 2 400 millones USD en los próximos 5 años. Se financiará mediante aportaciones de STMicroelectronics y Sanan Optoelectronics, ayudas del gobierno local y préstamos a la empresa conjunta.


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May 14 2024 7:33 am V22.4.46-1