Nexperia invertirá $200 millones en Alemania
Nexperia planea invertir 200 millones de dólares para desarrollar la próxima generación de semiconductores de banda ancha (WBG), como SiC y GaN.
El fabricante de semiconductores Nexperia planea invertir 200 millones de dólares (aproximadamente EUR 184 millones) para desarrollar la próxima generación de semiconductores de banda ancha (WBG), como SiC y GaN, y establecer una infraestructura de producción en su sitio en Hamburgo, Alemania.
Al mismo tiempo, se aumentará la capacidad de fabricación de láminas para diodos y transistores de silicio (Si).
Para satisfacer la creciente demanda a largo plazo de semiconductores de potencia eficientes, las tres tecnologías - SiC, GaN y Si - se desarrollarán y producirán en Alemania a partir de junio de 2024. Esto significa que Nexperia está tomando medidas para apoyar tecnologías en los campos de electrificación y digitalización.
Los semiconductores de carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN) permiten que aplicaciones de gran consumo de energía, como los centros de datos, operen con una eficiencia excepcional y se consideran bloques fundamentales para aplicaciones de energía renovable y electromovilidad. Estas tecnologías WBG están ganando cada vez más importancia para lograr los objetivos de descarbonización.
“Esta inversión fortalece nuestra posición como proveedor líder de semiconductores con alta eficiencia energética y nos permite utilizar la energía eléctrica disponible de manera más responsable”, dice Achim Kempe, COO y director gerente de Nexperia Alemania, en un comunicado de prensa. “En el futuro, nuestra fábrica en Hamburgo cubrirá toda la gama de semiconductores WBG, mientras sigue siendo la fábrica más grande de diodos y transistores de señal pequeña".
Las primeras líneas de producción para transistores GaN D-Mode de alto voltaje y diodos SiC comenzaron ya en junio de 2024. El siguiente hito serán las líneas de producción modernas y rentables de 200 mm para MOSFETs de SiC y HEMTs de GaN. Estas se establecerán en la fábrica de Hamburgo durante los próximos dos años.
Al mismo tiempo, Nexperia dice que la inversión ayudará a automatizar aún más la infraestructura existente en el sitio y a expandir la capacidad de producción de silicio mediante la conversión sistemática a obleas de 200 mm. Tras la expansión de las áreas de sala limpia, se están construyendo nuevos laboratorios de I+D para asegurar una transición sin problemas de la investigación a la producción en el futuro.
La compañía también dice que las inversiones contribuirán a asegurar y crear empleos, así como a mejorar la autosuficiencia de semiconductores de la Unión Europea, aunque no especifica más detalles sobre la creación de empleos.
Sin embargo, desde su escisión de NXP en 2017, Nexperia ha invertido, de forma sustancial, en el sitio de Hamburgo y ha aumentado la fuerza laboral de 950 a alrededor de 1,600 empleados.
