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Fabricación electrónica |

Samsung y Apple colaboran en el desarrollo de LPW DRAM con miras a 2028

Samsung avanza en la creación de memoria LPW DRAM junto a Apple y otros socios para impulsar la IA en dispositivos móviles.

Samsung sigue expandiendo su presencia en el mercado de memorias avanzadas. Mientras trabaja en la validación de HBM3E con clientes clave como NVIDIA, también está enfocando sus esfuerzos en la próxima generación de DRAM móvil. 

Según el medio surcoreano The Bell, la compañía está desarrollando memoria Low Power Wide I/O (LPW) DRAM junto a múltiples socios, entre ellos Apple, con el objetivo de responder a la creciente demanda de inteligencia artificial en dispositivos móviles.

Producción en masa proyectada para 2028

De acuerdo con The Bell, Samsung prevé que la producción masiva de LPW DRAM comience en 2028. Además de Apple, la compañía está colaborando con otros clientes de SoC en este desarrollo, incluyendo su propia división Mobile eXperience (MX).

La tecnología LPW DRAM ofrece un rendimiento superior al apilar módulos de memoria DDR de bajo consumo, aunque, a diferencia de las memorias HBM, no incorpora una capa base para funciones lógicas. Esta innovación promete mejorar la eficiencia energética y la velocidad en dispositivos móviles.

Competencia con SK hynix en el sector de IA móvil

El auge de la inteligencia artificial en dispositivos ha impulsado a otros fabricantes a desarrollar tecnologías similares.

SK hynix, otro gigante del sector, está trabajando en una solución denominada "Vertical Fan-Out" (VFO), que busca optimizar la memoria móvil para aplicaciones de IA.

Por otro lado, un informe previo de Business Korea destacó que Samsung y SK hynix también están colaborando en el desarrollo de productos LPDDR6-Processing In Memory (PIM). Ambas compañías buscan establecer estándares junto con el Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) para definir la evolución de estas tecnologías.

Según los datos más recientes de Samsung, citados por The Bell, la LPW DRAM alcanzará velocidades de hasta 204.8 GB/s en entrada y salida, con un consumo de solo 1.87 pJ, lo que la haría significativamente más eficiente que la actual LPDDR5X.

Samsung y Apple continúan apostando por innovaciones que potenciarán el rendimiento de dispositivos móviles en los próximos años. Con la llegada de la LPW DRAM, el futuro de la IA en smartphones y otros dispositivos parece cada vez más prometedor.


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