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Análisis |

JEDEC revela nuevas especificaciones de HBM4

Las memorias de alto ancho de banda dan un salto cuantitativo y JEDEC revela algunas especificaciones preliminares de HBM4.

En la carrera por liderar el mercado de las memorias de alto ancho de banda (HBM) de próxima generación, JEDEC dio un paso adelante. El líder en el desarrollo de estándares para la industria de la microelectrónica reveló cuáles serán las especificaciones preliminares de HBM4.

De acuerdo a un informe reciente de Wccftech, este nuevo estándar ofrecerá altas capacidades de memoria, con densidades de hasta 32 Gb en pilas de 16 Hi. Lo que marca un avance significativo en el manejo de grandes volúmenes de datos y cálculos complejos.

Mejora en el rendimiento y la eficiencia

Según lo divulgado por JEDEC, HBM4 aumentará las tasas de procesamiento de datos, y ofrecerá características como mayor ancho de banda, reducción del consumo de energía y mayor capacidad por chip o pila. 

El objetivo es cumplir con los requerimientos de diversas aplicaciones como la inteligencia artificial generativa, la computación de alto rendimiento, las tarjetas gráficas de gama alta y los servidores que necesitan una mejor gestión de grandes conjuntos de datos y cálculos complejos.

JEDEC también destacó que el nuevo estándar de memoria HBM4 prevé un “número de canales por pila duplicado”. Además, asegura la compatibilidad de un único controlador con HBM3 y HBM4.

En cuanto a  las especificaciones preliminares de HBM4 se incluye capas de 24 Gb y 32 Gb, con soporte para pilas TSV que van de 4 alturas a 16 alturas. Además de velocidades de hasta 6.4 Gbps, con posibilidad de frecuencias mayores. 

Un dato que JEDEC no ha detallado es cómo será la integración de semiconductores lógicos y de memoria en un solo paquete, un desafío importante que la industria tiene pendiente resolver.

Perspectivas del mercado

Varios gigantes de la industria han dado muestras de lo que le depara al mercado, NVIDIA anunció que su GPU Rubin de próxima generación se lanzará en 2026, contará con 8 chips HBM4. Mientras que SK hynix, ha colaborado con TSMC en el desarrollo y producción de HBM4 también para 2026. 

Micron, reveló que su memoria HBM ofrecerá capacidades de 36GB y 64GB en diversas configuraciones. Por su parte, Samsung también estaría por entrar a esta carrera con una capacidad de pila única de 48GB, prevista para entrar en producción en 2025.


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