Infineon, el primero en utilizar tecnología GaN de 300 mm de potencia
Infineon Technologies afirma haber logrado desarrollar la primera tecnología de oblea de nitruro de galio (GaN) de potencia de 300 mm del mundo.
El avance presentado por Infineon contribuirá a impulsar el mercado de los semiconductores de potencia basados en GaN. La producción de chips en obleas de 300 mm es tecnológicamente más avanzada y significativamente más eficiente que la de obleas de 200 mm, ya que en el mayor diámetro de la oblea caben 2,3 veces más chips por oblea.
“Este notable éxito es el resultado de nuestra fuerza innovadora y del trabajo dedicado de nuestro equipo global para demostrar nuestra posición como líder en innovación en GaN y sistemas de potencia”, afirma Jochen Hanebeck, CEO de Infineon Technologies AG, en un comunicado de prensa.
Además, agregó que “Este avance tecnológico cambiará las reglas del juego del sector y nos permitirá liberar todo el potencial del nitruro de galio. Casi un año después de la adquisición de GaN Systems, estamos demostrandon una vez más lo decididos que estamos de ser líderes en el mercado de GaN, qué está en rápido crecimiento. Como líder en sistemas de potencia, Infineon domina los tres materiales relevantes: silicio, carburo de silicio y nitruro de galio”.
Los semiconductores de potencia basados en GaN se adoptan rapidamente en aplicaciones industriales, automotrices, de consumo, informática y comunicaciones. Esto incluye fuentes de alimentación para sistemas de IA, inversores solares, cargadores, adaptadores y sistemas de control de motores.
Infineon ha conseguido fabricar obleas de GaN de 300 mm en una línea piloto integrada en la producción existente de silicio de 300 mm en su fábrica de energía de Villach (Austria). La empresa afirma que seguirá ampliando la capacidad de GaN en función de las necesidades del mercado.
Una ventaja significativa de la tecnología GaN de 300 mm es que puede utilizar el equipo de fabricación de silicio existente, ya que los procesos de fabricación del nitruro de galio y el silicio son muy similares. La producción a escala completa de GaN de 300 mm contribuirá a la paridad de los costos de GaN con el silicio en el nivel RDS(on), lo que significa paridad de costos para productos comparables de Si y GaN.
