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© GaN Systems
Semiconductores |

Texas Instruments aumenta su producción de semiconductores GaN en Japón

La fábrica de TI en Aizu, Japón, se suma a la planta de Dallas para la fabricación de semiconductores de nitruro de galio, cuadruplicando así su capacidad interna.

Texas Instruments (TI) ha comenzado la producción de semiconductores de potencia basados en nitruro de galio (GaN) en su fábrica de Aizu, Japón, lo cual representa un avance estratégico para la empresa. 

Este sitio se convierte en la segunda planta de TI en fabricar una amplia gama de semiconductores GaN, sumándose a su planta en Dallas, Texas. 

Con esta expansión, la empresa logra aumentar en cuatro veces su capacidad de producción interna de GaN, lo que asegura un suministro confiable y escalable para sus clientes globales.

Una década de innovación en GaN

Según Mohammad Yunus, vicepresidente senior de Tecnología y Manufactura en TI, la empresa ha alcanzado este hito luego de más de diez años de trabajo en diseño y producción de chips GaN. 

“Este avance nos permite aumentar la producción interna de GaN a más del 95% para el año 2030 y asegurar el suministro desde múltiples ubicaciones de TI”, explicó Yunus.

El GaN es un material semiconductor que ofrece ventajas sobre el silicio en eficiencia energética, velocidad de conmutación y resistencia a altas temperaturas y tensiones. Esto lo convierte en una opción ideal para aplicaciones como adaptadores de corriente y motores eficientes para sistemas de climatización y electrodomésticos.

Innovación y sostenibilidad en la fabricación

TI ha incorporado la tecnología más avanzada disponible en su planta de Aizu, optimizando la eficiencia del proceso y logrando una ventaja en costos. 

Con nuevas herramientas de fabricación, la empresa produce chips de menor tamaño y mayor densidad energética, lo que resulta en productos más compactos y eficientes. Esta metodología reduce el consumo de agua, energía y materiales, y favorece el compromiso de TI con la sostenibilidad.

Además, la compañía está desarrollando la producción de GaN en obleas de 300 mm, lo que permitirá satisfacer la creciente demanda y posibilitará la producción a mayor escala. TI espera que esta tecnología impulse aplicaciones en robótica, energías renovables y sistemas de potencia en servidores.

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