Samsung inaugura nuevo complejo de I+D en semiconductores
La compañía surcoreana marcó un hito para la industria con el nuevo centro de investigación y desarrollo de semiconductores, NRD-K, en su campus de Giheung.
Samsung Electronics ha dado un paso importante para fortalecer su posición en la industria de semiconductores con la inauguración este 18 de noviembre, de un nuevo complejo de investigación y desarrollo NRD-K. Una instalación de última generación ubicada en su campus de Giheung, Corea del Sur, que inició su construcción en 2022.
El objetivo de este nuevo complejo es convertirlo en una base de investigación clave para la I+D de memorias, sistemas LSI y semiconductores de foundry de Samsung, explicó la compañía en un comunicado de prensa. Las instalaciones permitirán por su infraestructura avanzada realizar tanto la investigación, como la verificación a nivel de producto en el mismo lugar.
Inversión millonaria
El complejo, de aproximadamente 109.000 m2, contempla una línea dedicada a I+D que empezará a operar a mediados de 2025, y constará de una inversión estimada de 20 billones de wones surcoreanos (aproximadamente 14,356 millones de dólares) para 2030. NRD-K está diseñado para impulsar la velocidad de desarrollo de la empresa que está luchando para ocupar un lugar clave dentro de la industria de semiconductores.
Young Hyun Jun, vicepresidente y director de la División de Soluciones para Dispositivos de Samsung Electronics, explicó que: “NRD-K impulsará nuestra velocidad de desarrollo, lo que permitirá a la empresa crear un círculo virtuoso para acelerar la investigación fundamental sobre tecnología de próxima generación y la producción en masa. Estableceremos las bases para un nuevo salto adelante en Giheung, donde comenzó la historia de 50 años de semiconductores de Samsung Electronics, y crearemos un nuevo futuro para los próximos 100 años”.
Tecnología avanzada
El complejo NRD-K estará equipado con tecnología avanzada litografía ultravioleta extrema (EUV) de alta apertura numérica y equipos de deposición de nuevos materiales, que explicó Samsung estarán destinados a acelerar el desarrollo de memorias avanzadas como 3D DRAM y V-NAND con más de 1,000 capas. También contará con tecnología de unión de obleas y empaquetado avanzado para la producción de memoria de alto ancho de banda (HBM).
La ceremonia también contó con la presencia de proveedores y clientes, entre ellos Park Gwang-Sun, director de Applied Materials Korea, que mencionó la importancia de las asociaciones y afirmó que “Applied Materials se compromete a acelerar la velocidad de la innovación a través de una profunda colaboración con Samsung Electronics, trabajando juntos para impulsar una nueva ola de crecimiento para la industria de los semiconductores”
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