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© byunghyun lee pexels
Semiconductores |

Corea del Sur desarrolla material clave para semiconductores de próxima generación

Un equipo de investigadores de la Universidad de Ajou desarrolló un innovador material con propiedades diferentes a los metales tradicionales, abriendo nuevas posibilidades para chips más eficientes.

Un equipo de investigación de la Universidad de Ajou de Corea del Sur, liderado por el profesor Oil Kwon, y en alianza con la prestigiosa Universidad de Stanford dieron a conocer un material semimetálico amorfo que podría ser clave para avanzar en la tecnología de semiconductores de próxima generación, de acuerdo a un informe reciente de Korea Bizwire.

Material innovador para la próxima generación de chips

De acuerdo al informe, este nuevo material, denominado “semimetal topológico”, desafía las limitaciones de los metales tradicionales que aumentan su resistividad eléctrica al reducirse su espesor, a diferencia de este, que reduce dicha resistividad, facilitando la miniaturización de los semiconductores.

Además, una gran ventaja es que pese a que se trata de un material innovador y nuevo, se ajusta a los procesos actuales de fabricación de semiconductores, gracias a su baja temperatura de crecimiento (menos de 400 °C). 

Más allá de su desarrollo, el equipo a cargo del proyecto también se encuentra trabajando en un aspecto crucial para la comercialización. Están desarrollando un proceso de deposición de capas atómicas (ALD) para el material. De acuerdo al informe, este paso es clave para el control preciso del grosor del material a escala atómica.

“El nuevo material podría servir como una solución revolucionaria para futuras tecnologías de semiconductores, superando las limitaciones de los materiales actuales y ofreciendo aplicaciones ilimitadas” afirmó el profesor Kwon, líder del proyecto.

Colaboración internacional

El proyecto del semimetal topológico de la Universidad de Ajou cuenta con la colaboración con la Universidad de Stanford, además se publicó en la edición del 3 de enero de la revista Science bajo el título: “Conducción superficial y resistividad eléctrica reducida en semimetal NbP no cristalino ultrafino”.

Kwon destacó que este avance es un hito tecnológico, afirmando que: 

“Esta investigación representa un avance significativo, ya que valida experimentalmente un material completamente nuevo que nunca se había intentado antes”

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