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© II-VI Semiconductores | marzo 09, 2022

II-VI ampliará capacidad de SiC en Pensilvania y Suecia

II-VI Incorporated afirmó que, con la ampliación de sus fábricas a gran escala en Easton, Pensilvania, y Kista, Suecia, la empresa está acelerando su inversión en la fabricación de sustratos de carburo de silicio (SiC) de 150 mm (6 pulgadas) y 200 mm (8 pulgadas), y de obleas epitaxiales.

Para satisfacer la demanda mundial de electrónica de potencia de carburo de silicio, II-VI indicó que ampliará significativamente su fábrica de casi 27 870 metros cuadrados (300 000 pies cuadrados) en Easton, Pensilvania, para aumentar la producción de sustratos de carburo de silicio de 150 mm y 200 mm, y obleas epitaxiales.

La compañía informó, en un comunicado de prensa, que se espera que la producción de sustratos de carburo de silicio de 150 mm y 200 mm de la instalación alcance el equivalente a 1 millón de sustratos de 150 mm anuales para 2027, y que la proporción de sustratos de 200 mm vaya creciendo con el tiempo.

La ampliación de la capacidad de producción de obleas epitaxiales en Kista —que la empresa no ha especificado— está destinada a atender el mercado europeo.
 

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