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© Mitsubishi Electric Corporation
Semiconductores |

Mitsubishi Electric y Coherent ampliarán fabricación de SiC

Mitsubishi Electric y el especialista en materiales Coherent Corp. han firmado un memorándum de entendimiento para colaborar en un programa destinado a ampliar la fabricación de electrónica de potencia de carburo de silicio (SiC) en una plataforma tecnológica de 200 mm (8 pulgadas).

El mercado de los vehículos eléctricos está en expansión en todo el mundo y es sólo una de las diversas aplicaciones emergentes que impulsan el crecimiento exponencial de los dispositivos de potencia de carburo de silicio, que presentan menores pérdidas de energía, temperaturas de funcionamiento más elevadas y mayores velocidades de conmutación en comparación con los dispositivos de potencia basados en silicio. Se espera que la alta eficiencia de los dispositivos de potencia de carburo de silicio contribuya significativamente a la descarbonización global y a la transformación verde.

Para satisfacer la creciente demanda, Mitsubishi Electric tiene previsto invertir aproximadamente 260 000 millones JPY (1 730 millones EUR) en el periodo de cinco años que finaliza en marzo de 2026. Una parte importante de la inversión, aproximadamente 100 000 millones JPY (667 millones EUR), se destinará a construir una nueva planta de dispositivos de potencia de carburo de silicio, basada en una plataforma tecnológica de 200 mm, y a mejorar las instalaciones de producción relacionadas. 


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