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© Kioxia
Semiconductores |

Kioxia pone en marcha dos nuevas instalaciones de I+D

Kioxia ha comenzado a operar oficialmente en dos nuevas instalaciones de investigación y desarrollo —su edificio insignia en el campus tecnológico de Yokohama y el frente tecnológico de Shin-Koyasu— reforzando las capacidades de investigación y desarrollo de la empresa en memorias flash y unidades de estado sólido (SSD).

La empresa afirmó que, en el futuro, otras funciones de investigación y desarrollo de la prefectura de Kanagawa se trasladarán a estos nuevos centros de investigación y desarrollo para mejorar la eficacia de la investigación y promover nuevos avances en innovación tecnológica.

Con la incorporación del nuevo edificio estrella, el campus tecnológico de Yokohama prácticamente duplicará su tamaño, lo que permitirá a Kioxia ampliar sus capacidades de evaluación de memorias flash y productos SSD, mejorando así el desarrollo general de productos. El nuevo edificio ofrece a Kioxia 40 000 metros (aprox. 430 000 pies) cuadrados de superficie total.

El frente tecnológico Shin-Koyasu, de 13 000 metros (aprox. 140 000 pies) cuadrados, servirá de centro de investigación básica de vanguardia en una amplia gama de áreas de semiconductores, incluidos nuevos materiales, procesos y dispositivos.


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