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Semiconductores |

El programa de inversiones de Navitas «podría suponer 200 millones USD más de producción anual»

La empresa estadounidense de semiconductores de potencia inició su nuevo programa de inversiones con 20 millones USD, para poner en marcha una instalación de crecimiento electrónico de carburo de silicio de tres reactores en su sede central de Estados Unidos.

Navitas Semiconductor se describe a sí misma como la única empresa de semiconductores de potencia de última generación. Sus mercados principales son los de telefonía móvil, consumo, centros de datos, vehículos eléctricos, energía solar, energía eólica, redes inteligentes e industria.

Ahora, ha anunciado la primera de una serie de inversiones estratégicas en fabricación. Afirmó que la financiación aumentará el control, reducirá los costes y mejorará la capacidad de ingresos de sus semiconductores de potencia de carburo de silicio GeneSiC.

Los primeros 20 millones USD se destinarán al desarrollo de su instalación de epi-crecimiento de carburo de silicio de tres reactores en Torrance, California. Añadirá una capa epitaxial (o «epi») de carburo de silicio a una oblea de carburo de silicio en bruto, que es el primer paso en la fabricación de dispositivos de potencia de carburo de silicio individuales. Se espera que el primer reactor de epitaxia AIXTRON G10-SiC —con capacidad para obleas de 6 y 8 pulgadas (150 y 200 mm, respectivamente)— esté totalmente cualificado y en producción en 2024.

Según Navitas, esta ampliación podría suponer 200 millones USD más de producción anual. Se trata de un dato significativo, dado que la empresa anunció recientemente un potencial de negocio futuro estimado en 760 millones USD, basado en el interés expresado por los clientes en programas cualificados.


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