Intel abre Fab 9 en Nuevo México
La apertura marca un hito para la fabricación de alto volumen de tecnologías de embalaje avanzadas en 3D.
El hito es parte de la inversión previamente anunciada de $ 3.5 millones de dólares para equipar sus operaciones en Nuevo México para la fabricación de tecnologías avanzadas de empaquetamiento de semiconductores, incluida la innovadora tecnología de empaquetado 3D de Intel, Foveros, que ofrece opciones flexibles para combinar múltiples chips optimizados para potencia y rendimiento y costo.
"Hoy celebramos la apertura de las primeras operaciones de semiconductores de alto volumen de Intel y la única fábrica estadounidense que produce a escala las soluciones de embalaje más avanzadas del mundo. Esta tecnología de vanguardia distingue a Intel y ofrece a nuestros clientes ventajas reales en cuanto a desempeño, formato y flexibilidad en las aplicaciones de diseño, todo dentro de una cadena de suministro resistente. Felicitaciones al equipo de Nuevo México, a toda la familia Intel, a nuestros proveedores y socios contratistas que colaboran y superan incansablemente los límites de la innovación en empaques". –Keyvan Esfarjani, Vicepresidente Ejecutivo y Director de Operaciones Globales de Intel.
Las instalaciones Fab 9 y Fab 11x en Río Rancho representan el primer sitio operativo para la producción en masa de la avanzada tecnología de empaquetado 3D de Intel. También es el primer sitio de empaquetado avanzado de alto volumen de Intel ubicado en el mismo lugar, lo que marca un proceso de fabricación de extremo a extremo que crea una cadena de suministro más eficiente desde la demanda hasta el producto final.
Fab 9 ayudará a impulsar la próxima era de innovación de Intel en tecnologías avanzadas de empaquetado. A medida que la industria de los semiconductores avanza hacia una era heterogénea que utiliza múltiples "chiplets" en un paquete, las tecnologías de empaquetado avanzadas, como Foveros y EMIB (puente de interconexión de matrices múltiples integrado), ofrecen un camino más rápido y rentable para alcanzar 1 billón de transistores en un chip y prolongar la Ley de Moore más allá de 2030.
Foveros, la avanzada tecnología de empaquetado en 3D de Intel, es la primera solución de su tipo que permite la construcción de procesadores con mosaicos de computación apilados verticalmente, en lugar de uno al lado del otro. También permite que Intel y los clientes de fundición mezclen y combinen mosaicos informáticos para optimizar la eficiencia energética y los costos.
"Esta inversión de Intel subraya la dedicación continua de Nuevo México para traer la manufactura de regreso a Estados Unidos", dijo la gobernadora Michelle Lujan Grisham. "Intel continúa desempeñando un papel clave en el panorama tecnológico del estado y fortaleciendo nuestra fuerza laboral, apoyando a miles de familias de Nuevo México".
La inversión de $3.5 mil millones en Río Rancho ha creado cientos de empleos de alta tecnología de Intel, más de 3,000 empleos de construcción y 3,500 empleos adicionales en todo el estado.
