Samsung abre un centro de investigación de RAM dinámica en Silicon Valley
DSA, la división de investigación estadounidense de Samsung, ha puesto en marcha un nuevo laboratorio para desarrollar la próxima generación de memorias de RAM dinámica tridimensionales (3D).
El principal fabricante de chips de memoria del mundo ascendió a su posición actual cuando lanzó la NAND flash 3D vertical comercial en 2013. Pero la carrera tecnológica nunca se detiene. Así que ahora Samsung —y su nuevo laboratorio de I+D estadounidense— se centra en la tecnología de RAM dinámica 3D de nueva generación. En octubre, reveló que ha estado preparando nuevas estructuras tridimensionales para RAM dinámica de menos de 10 nanómetros, lo que permitirá mayores capacidades en un solo chip que pueden superar los 100 gigabits.
2023 fue un año difícil para Samsung y para todo el mercado de las memorias. La débil demanda de ordenadores, servidores y teléfonos inteligentes provocó un exceso de oferta y de existencias en todo el mercado. Como resultado, los precios cayeron y el beneficio operativo de Samsung para el tercer trimestre de 2023 cayó más de un 77 por ciento en comparación con el mismo periodo del año anterior.
Sin embargo, el negocio de las memorias, como el de los chips en general, es cíclico. Los expertos predicen que 2024 será un año fuerte gracias a la demanda de servidores de IA y a los nuevos segmentos del mercado.
