SiCrystal expande su producción en Núremberg con nuevo edificio
La compañía líder en obleas de carburo de silicio aumentará su capacidad para respaldar la transición energética y la electromovilidad.
SiCrystal GmbH, un referente mundial en la producción de obleas de carburo de silicio (SiC) monocrisatilino, ha anunciado la construcción de un nuevo edificio en el noreste de Núremberg, Alemania, justo frente a sus instalaciones actuales.
Esta expansión añadirá 6.000 metros cuadrados adicionales de espacio productivo, con lo que triplicará su capacidad total para el año 2027 en comparación con este 2024.
Impulso a la innovación y sostenibilidad
El Dr. Robert Eckstein, director ejecutivo de SiCrystal, destacó en la ceremonia de inauguración la importancia de este proyecto para la ciudad y la región. Según Eckstein, el nuevo edificio permitirá incrementar significativamente la producción de sustratos SiC.
Por su parte, el Dr. Erwin Schmitt, COO de SiCrystal, enfatizó el compromiso continuo con la calidad y la innovación, que permitirá a la empresa reforzar su posición en el mercado y contribuir significativamente al desarrollo tecnológico en la industria de semiconductores.
Los productos fabricados son esenciales para tecnologías verdes como la fotovoltaica y la energía eólica, además de la electromovilidad, lo que contribuye a la sostenibilidad global.
El alcalde König, quien estuvo presente en el evento, celebró este hito, destacando el rol de SiCrystal en la transición energética y su decisión de reforzar su presencia en Núremberg. Señaló además que esta acción no solo mantiene los empleos existentes, sino que también promete la creación de nuevos puestos de trabajo.
La construcción, a cargo del contratista general Systeambau de Hilpoltstein, está programada para finalizar a principios de 2026.
Además, SiCrystal, parte del grupo japonés ROHM, se enorgullece de ser un empleador en crecimiento en la región metropolitana, con planes de aumentar su fuerza laboral en más de 100 personas para el final del año fiscal 2027/28.
Este desarrollo muestra el papel crucial de las obleas SiC en la fabricación de componentes semiconductores de alto rendimiento, que son esenciales para aplicaciones de alta eficiencia y bajo consumo energético.
