El mercado de dispositivos semiconductores de GaN alcanzará los 19.500 millones de dólares en 2031
La expansión de las redes 5G a nivel mundial está contribuyendo significativamente a la demanda de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) en aplicaciones de electrónica de potencia y RF.
Se prevé que el mercado mundial de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) experimente un crecimiento impresionante, con una expansión proyectada a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 27,4% de 2022 a 2031. Valorizado en 1.850 millones de dólares en 2021, se espera que el mercado alcance los 19.500 millones de dólares en 2031, según un informe de la empresa de investigación de mercado global Transparency Market Research.
Este crecimiento está impulsado por la creciente demanda de semiconductores de alto rendimiento en múltiples industrias, incluyendo TI y telecomunicaciones, electrónica de consumo, automoción y transporte, y aeroespacial y defensa.
El nitruro de galio (GaN) es un semiconductor de banda prohibida ancha conocido por su estabilidad mecánica superior, alta resistencia a la ruptura, velocidad de conmutación rápida y excelente conductividad térmica. Estas propiedades hacen del GaN una opción preferida para dispositivos de potencia y componentes de RF, reemplazando eficazmente a los semiconductores de silicio tradicionales en diversas aplicaciones, según el informe.
Con un creciente énfasis en la eficiencia energética y el rendimiento, la tecnología GaN está ganando terreno en circuitos de potencia, diseños de RF, LED y aplicaciones de alta potencia. El uso creciente de dispositivos semiconductores de potencia basados en GaN en teléfonos inteligentes, computadoras portátiles y monitores para optimizar el rendimiento de la batería impulsa aún más la expansión del mercado.
"Un aumento en la demanda de aplicaciones de alta potencia en los sectores industrial y de telecomunicaciones está impulsando la adopción de dispositivos semiconductores de GaN", dijo Transparency Market Research en un comunicado de prensa. "Empresas como Infineon Technologies y Texas Instruments están mejorando sus soluciones de tecnología GaN para aumentar la eficiencia y la densidad de potencia".
La expansión de las redes 5G a nivel mundial está contribuyendo significativamente a la demanda de dispositivos GaN en aplicaciones de electrónica de potencia y RF.
La industria de semiconductores está haciendo la transición hacia obleas de GaN de 12 pulgadas para aplicaciones de alta potencia, con empresas como Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. liderando las innovaciones en sustratos de GaN.
Las empresas destacadas que impulsan el mercado de dispositivos semiconductores de GaN incluyen Analog Devices, Cambridge GaN Devices, Efficient Power Conversion Corporation, Fujitsu, Infineon Technologies, Navitas Semiconductor, NXP Semiconductors, Qorvo, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments y Transphorm.
