Infineon: mercado de GaN alcanzará los 3.000 millones en 2030
El fabricante alemán de semiconductores Infineon Technologies prevé que el mercado de semiconductores de potencia basados en nitruro de galio (GaN) alcance cerca de 3.000 millones de dólares en 2030, según la edición 2026 de su informe anual “GaN Insights”.
Basándose en proyecciones de analistas, la compañía señala que se espera que el mercado crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 44 % entre 2025 y 2030. Los ingresos deberían situarse en 920 millones de dólares en 2026, lo que representa un aumento del 58 % en comparación con 2025. La cifra prevista para 2030 supondría un incremento de aproximadamente el 400 % frente a los niveles de 2025, según la empresa.
Infineon indica que este rápido crecimiento está impulsado por los aumentos de producción iniciados en 2025, que están ampliando la adopción del GaN en múltiples sectores industriales y facilitando su entrada en nuevas aplicaciones.
Desarrollos de producto destacados
En el informe, Infineon describe avances en interruptores GaN bidireccionales de alta tensión con un diseño de drenador común y una estructura de doble compuerta, basados en la tecnología Gate Injection Transistor (GIT).
Según la compañía, esta arquitectura permite que la misma región de deriva bloquee tensiones en ambas direcciones, reduciendo el tamaño del chip en comparación con los diseños back-to-back convencionales. Infineon afirma que sus interruptores bidireccionales CoolGaN, que operan a frecuencias de hasta 1 MHz, pueden permitir que los microinversores solares ofrezcan hasta un 40 % más de potencia en el mismo tamaño de inversor, al tiempo que reducen los costes del sistema.
Expansión hacia nuevas aplicaciones
De acuerdo con el informe, la tecnología GaN se está expandiendo más allá de aplicaciones consolidadas como los inversores solares y los cargadores a bordo para vehículos eléctricos, hacia ámbitos como los centros de datos de inteligencia artificial, la robótica, las energías renovables, la salud digital y la computación cuántica.
En los centros de datos, Infineon sostiene que las fuentes de alimentación basadas en GaN pueden reducir las pérdidas de energía hasta en un 30 %, al tiempo que permiten arquitecturas de centros de datos más eficientes y compactas. En el ámbito de la robótica, la empresa indica que los accionamientos de motores basados en GaN utilizados en robots humanoides pueden ser hasta un 40 % más pequeños y ofrecer un control del movimiento mejorado.
