Los nuevos semiconductores GaN de STM mejoran la eficiencia energética
Los nuevos dispositivos PowerGaN de STMicroelectronics ofrecen una alta eficiencia y una elevada densidad de potencia para fuentes de alimentación de alta tensión. Diseñados para una tensión de funcionamiento de 700 V, permiten un funcionamiento fiable a alta potencia y el uso de topologías de mayor frecuencia.
Los nuevos semiconductores de potencia basados en nitruro de galio (GaN) de STMicroelectronics (STM) están diseñados para mejorar la eficiencia energética y aumentar la densidad de potencia en aplicaciones exigentes que impulsan la electrificación.
Los dispositivos PowerGaN de 700 V de la cartera STPOWER responden a desafíos como el creciente consumo energético de los servidores de inteligencia artificial y la necesidad de sistemas de conversión de potencia de mayor rendimiento, más allá de los límites de las tecnologías convencionales basadas en silicio, según la compañía.
Los nuevos dispositivos PowerGaN de STM ofrecen una alta eficiencia y una elevada densidad de potencia para fuentes de alimentación de alta tensión. Diseñados para una tensión de funcionamiento de 700 V, permiten un funcionamiento fiable a alta potencia y el uso de topologías que operan a frecuencias más elevadas.
Las ventajas inherentes de la tecnología PowerGaN, entre ellas las bajas pérdidas por conducción, unas pérdidas de conmutación extremadamente reducidas a altas frecuencias de funcionamiento y una carga de recuperación inversa nula, permiten reducir el tamaño, el peso y la temperatura de funcionamiento de los sistemas. Según la empresa, estas características son especialmente importantes para los semiconductores de potencia utilizados en robótica, fuentes de alimentación industriales y convertidores para redes eléctricas inteligentes destinados a la generación, distribución y almacenamiento de energía.
«La ampliación de nuestra cartera PowerGaN con nuevos dispositivos de 700 V extiende las ventajas de la tecnología de nitruro de galio a aplicaciones de potencia media y alta», afirmó Mario Aleo, vicepresidente ejecutivo del subgrupo Power & Discrete de STMicroelectronics. «Seguiremos ampliando esta cartera con nuevos niveles de tensión y funcionalidades adicionales, reforzando nuestro compromiso con el GaN para los servidores de IA del futuro, la robótica humanoide, las aplicaciones industriales de potencia y las aplicaciones avanzadas de consumo, incluidos los electrodomésticos».
