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Indiana_groundbreaking
© SKhynix
Fabricación electrónica |

SK hynix inicia la construcción de una planta de encapsulado de 4.000 millones de dólares en Indiana

Está previsto que la sala blanca de la planta de Indiana entre en funcionamiento en octubre de 2028 y que la producción en serie de HBM de próxima generación comience en el segundo semestre de 2029. SK hynix también firmó un memorando de entendimiento con la Universidad Purdue para colaborar en investigación y desarrollo en el ámbito del encapsulado avanzado.

La surcoreana SK hynix ha celebrado la ceremonia de colocación de la primera piedra de una planta de producción de encapsulado avanzado para memorias destinadas a aplicaciones de inteligencia artificial en West Lafayette, Indiana.

La planta de Indiana, que supondrá una inversión total prevista de más de 4.000 millones de dólares, tiene previsto poner en funcionamiento su sala blanca en octubre de 2028 e iniciar la producción en serie de HBM de próxima generación en el segundo semestre de 2029, informó SK hynix en un comunicado de prensa.

Junto a las líneas de producción se construirá un «banco de pruebas de I+D para encapsulado avanzado», que permitirá a clientes, universidades y socios empresariales desarrollar conjuntamente tecnologías de encapsulado de próxima generación y llevar a cabo con rapidez la fabricación de prototipos y la validación de su rendimiento.

«La histórica inversión de SK hynix en West Lafayette es una prueba más de que Indiana está liderando la reconstrucción de la industria estadounidense de semiconductores», afirmó el senador estadounidense Todd Young. «Este proyecto creará empleos bien remunerados, reforzará nuestra seguridad nacional y económica y garantizará que las tecnologías del futuro se desarrollen y fabriquen aquí, en Estados Unidos».

«Este proyecto dará paso a la próxima generación de innovación estadounidense, generará miles de empleos bien remunerados en Indiana e impulsará el desarrollo económico regional», afirmó el gobernador de Indiana, Mike Braun.

Durante la ceremonia, SK hynix también firmó un memorando de entendimiento con la Universidad Purdue para colaborar en investigación y desarrollo en el ámbito del encapsulado avanzado. En virtud del acuerdo, ambas partes reforzarán su cooperación en I+D y llevarán a cabo investigaciones conjuntas sobre integración de sistemas y tecnologías de encapsulado avanzado, incluida la HBM, según el comunicado de prensa.

«Estados Unidos es el epicentro de la innovación en inteligencia artificial y reúne a clientes de primer nivel, capacidades punteras de I+D y socios estratégicos. La planta de Indiana se convertirá en una puerta de entrada para suministrar los primeros productos HBM fabricados en Estados Unidos», afirmó Kwak Noh-Jung, CEO de SK hynix. «Ampliaremos nuestras inversiones y nuestra colaboración en Estados Unidos, creceremos juntos y nos convertiremos en el socio de mayor confianza para construir el futuro de la inteligencia artificial en el país».


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