Infineon fabrica sus primeros dispositivos de potencia en obleas SiC de 300 mm
Infineon ha logrado fabricar dispositivos de potencia funcionales a partir de obleas de carburo de silicio (SiC) de 300 mm en su planta de Villach, Austria, utilizando equipos de fabricación de silicio ya existentes. La compañía afirma ser la primera en conseguirlo en una fábrica de semiconductores a gran escala.
Según un comunicado de prensa de Infineon, una oblea de 300 mm permite obtener aproximadamente 2,3 veces más chips que una de 200 mm. La compañía todavía no ha establecido un calendario para la producción en serie. Infineon planificará el desarrollo de la tecnología y el aumento progresivo de la producción de SiC en obleas de 300 mm junto con sus clientes y socios, mientras continúa con su hoja de ruta actual para las obleas SiC de 200 mm.
Paralelamente, Infineon ha demostrado la viabilidad de su tecnología Cold Split aplicada a obleas SiC de 300 mm en sus instalaciones de Dresde, Alemania. Este método permite separar las obleas de un lingote de carburo de silicio con una menor pérdida de material y un tiempo de procesamiento considerablemente más corto que el corte convencional con hilo. De este modo, es posible obtener más obleas a partir de un mismo cristal.
«Con obleas de 300 mm de silicio, nitruro de galio y ahora también carburo de silicio, nos encontramos en una posición de liderazgo para ampliar la fabricación de semiconductores e impulsar un crecimiento rentable», afirma Jochen Hanebeck, consejero delegado de Infineon.
Infineon trabaja actualmente con obleas de 300 mm de los tres materiales. A finales de octubre, la compañía anunció una inversión de aproximadamente 1.100 millones de euros en una planta de producción a gran escala de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) sobre obleas de 300 mm en Villach. Infineon no ha especificado qué implicaciones tendrá este avance para los costes de producción.
