TSMC consolida liderazgo en el mercado de embalaje avanzado
El impacto de TSMC en el mercado de embalaje avanzado sigue en aumento con Foundry 2.0, lo que podría afectar a OSAT.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company continúa dando pasos fuertes en el embalaje avanzado, demostrando su liderazgo en este mercado. Un informe presentado por MoneyDJ dio a conocer cómo la empresa ha pronosticado que CoWoS mantendrá su alta demanda para 2025 e incluso podría duplicar su capacidad en dos años consecutivos.
El informe también menciona que la empresa está abriéndose paso en el espacio FOPLP (Fan-Out Panel-Level Packaging), una tecnología que los fabricantes de paneles y OSAT han estado desarrollando para ser lanzada en tres años.
Innovaciones para la industria y nuevas definiciones
En la reciente presentación de resultados la empresa taiwanesa introdujo una nueva definición para la industria de fabricación de semiconductores "Foundry 2.0", esta incluye servicios de fundición, empaquetado, pruebas, producción de fotomáscaras y otros componentes integrados, excluyendo la producción de memoria.
De acuerdo a lo expuesto por la empresa, con esta definición ampliada refleja mejor las oportunidades de la empresa y su enfoque de vanguardia tecnológica.
Desafíos y oportunidades para OSAT
La incursión de TSMC en esta área ha desatado preocupación en el mercado, al tener potencial para afectar las oportunidades de los OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test). A pesar de ello, de acuerdo al informe, la empresa actualmente colabora con OSAT en el segmento WoS y maneja la mayoría de pedidos de CoWoS.
Por otro lado, AMD y NVIDIA trabajan con Amkor y Siliconware, subsidiaria de ASE, para productos relacionados con CoWoS. Y se espera que el primero suministre entre 70,000 y 80,000 unidades este año, mientras que Siliconware se mantiene en 50,000 y 60,000 unidades.
El mercado de empaquetado avanzado actual continuará siendo un tema en tendencia a medida que TSMC se abre paso en el área tecnológica haciéndolo cada vez más competitivo y complejo.
