Evolución del carburo de silicio en las tendencias de la movilidad eléctrica
A medida que los vehículos eléctricos continúan ganando terreno, el carburo de silicio (SiC) aumenta su presencia en el mercado.
Los dispositivos de potencia basados en SiC superan a los dispositivos de silicio tradicionales con mayor voltaje, conmutación más rápida, menores pérdidas y mejor gestión térmica, lo que permite sistemas de potencia más eficientes, compactos y ligeros.
En la era de la movilidad eléctrica, la demanda de semiconductores eficientes y de alto rendimiento nunca ha sido mayor. El carburo de silicio (SiC) ha surgido como un material revolucionario en este campo, ofreciendo propiedades eléctricas superiores y permitiendo avances significativos en la tecnología de vehículos eléctricos (VE).
Durante Evertiq Expo Gothenburg el 19 de septiembre de 2024, Riccardo Nicoloso, Gerente General de la División de Nuevos Materiales y Soluciones de Energía de STMicroelectronics, subirá al escenario para explorar la evolución del SiC en la tendencia de la movilidad eléctrica, centrándose en su impacto en el desarrollo del mercado de vehículos eléctricos, la eficiencia del tren motriz y las nuevas aplicaciones automotrices.
STMicroelectronics presentó sus primeros diodos de SiC en 2004 después de años de investigación y desarrollo en tecnología de carburo de silicio. Esto fue seguido por la introducción de los MOSFET de SiC en 2009, que entraron en producción masiva en 2014. Hoy en día, ST ofrece una de las gamas más amplias de la industria de productos de potencia SiC de media y alta tensión. La compañía está expandiendo su capacidad de producción y construyendo una sólida cadena de suministro de SiC para satisfacer la creciente demanda y garantizar la fiabilidad a largo plazo.
ST anunció de forma reciente planes para construir una nueva instalación de fabricación de SiC de 200 mm de alto volumen para dispositivos de potencia, módulos, así como pruebas y empaquetado, en Catania, Italia. Combinada con la instalación de fabricación de sustratos de SiC que se está preparando en el mismo sitio, que formarán el campus de carburo de silicio de ST. Se prevé que la nueva instalación comience la producción en 2026 y alcance su plena capacidad en 2033, con hasta 15.000 obleas por semana a plena capacidad.
Los analistas de Yole Group están previendo una fuerte demanda de dispositivos de potencia de SiC, impulsada de forma principal por aplicaciones de vehículos eléctricos, pero también por una creciente adopción de la tecnología en los sectores industrial y energético industrial. De acuerdo con el Monitor de mercado de semiconductores compuestos de potencia SiC y GaN del segundo trimestre de 2024 de Yole Group, se espera que el mercado de dispositivos de potencia SiC alcance los 10.000 millones de dólares estadounidenses para 2029. El mismo pronóstico indica que la automoción y la movilidad, así como el transporte, representan cerca de 8.000 millones de dólares estadounidenses.
