I+D, asociaciones y expansión: La estrategia de ST para el crecimiento del SiC

Tras su presentación, Ferrara habló sobre las oportunidades que impulsan la adopción del SiC y cómo ST está posicionada para liderar este mercado crítico.

El carburo de silicio, conocido por su eficiencia superior en aplicaciones de alta potencia, se ha convertido en una pieza clave para la próxima generación de vehículos eléctricos (VE). 

Sobre este tema, Ferrara explicó que la demanda de SiC está impulsada por el auge global en la adopción de VE, así como por la transición de los fabricantes de automóviles de sistemas de baterías de 400 voltios a 800 voltios. Este cambio mejora la eficiencia energética, reduce las pérdidas y permite una carga más rápida, factores claves para la adopción de vehículos eléctricos por parte de los consumidores.

Pese a algunos retrasos potenciales en los tiempos de adopción, Ferrara confía en que las tendencias del mercado siguen siendo sólidas.

“La tendencia global es clara. Nuestros clientes están introduciendo activamente nuevos dispositivos y compartiendo planes que se alinean con nuestras proyecciones iniciales. Si bien puede haber pequeños ajustes en los plazos, los niveles de volumen que anticipamos siguen siendo realistas”, afirmó.

Más allá del sector automotriz

Ferrara también ve oportunidades para el SiC en otras aplicaciones de alta potencia. “Sectores como los sistemas de accionamiento, almacenamiento de energía y centros de datos, donde el SiC antes se consideraba demasiado caro, ahora se están abriendo”, señaló. 

A medida que el costo del SiC continúe disminuyendo y sus beneficios se hagan más evidentes, se espera un aumento significativo en su adopción fuera del sector automotriz.

STMicroelectronics ha estado a la vanguardia de la innovación en SiC. En 2023, la cuota de mercado de ST en MOSFET de SiC superó el 50% y la compañía se ha fijado un ambicioso objetivo de generar 5.000 millones de dólares en ingresos anuales por SiC para 2030. Ferrara atribuye este éxito a la experiencia de ST y a su capacidad para adaptar su oferta a las necesidades de los clientes.

“Nuestra diferenciación radica en nuestra historia, experiencia y trayectoria comprobada. Los clientes confían en nosotros porque no solo entregamos tecnología, sino también soluciones confiables y probadas en el campo. Muchos de nuestros proyectos se construyen sobre bases sólidas, asegurando que los números a los que nos comprometemos se materialicen”, explicó Ferrara.

La transición a la producción de 200mm

Un hito importante en la fabricación de SiC es la transición de obleas de 150mm a 200mm. Ferrara describió este cambio como crucial para ampliar la producción y satisfacer la demanda.

“Moverse a 200mm es una necesidad. Es esencial para la producción en volumen. El equipo más reciente soporta tanto sustratos de 150mm y 200mm, lo que permite una mayor eficiencia en la producción y optimización del espacio en la fábrica”, explicó.

Sin embargo, señaló que los beneficios de esta transición van más allá del volumen. Ferrara subrayó que el nuevo equipo de 200mm mejora la fiabilidad y el rendimiento del proceso, optimizando de forma significativa la gestión de defectos.

“Al sellar los defectos durante el proceso de fabricación, podemos mejorar el rendimiento mientras aprovechamos la mejor tecnología para la producción de 200 mm. Esto es un paso adelante tanto en capacidad como en calidad”, añadió.

Inversiones continuas en I+D

A pesar del progreso logrado en la tecnología de SiC, Ferrara destacó que la investigación y el desarrollo siguen siendo fundamentales.

“El carburo de silicio aún requiere más cuidado en comparación con el silicio tradicional. La inversión continua en I+D es obligatoria para mejorar el rendimiento de los dispositivos y aumentar la densidad de potencia, pero también para atacar la tasa marginal de fallos restante que persiste en comparación con el silicio”, afirmó.

Los esfuerzos de STMicroelectronics se extienden más allá de la I+D interna. La compañía colabora con las universidades para abordar la escasez de talento especializado en ingeniería en Europa. En Catania, Italia, se ha asociado con la universidad local para crear un programa de maestría en Electrónica de Potencia.

“Hace tres años iniciamos un programa de maestría en Electrónica de Potencia en colaboración con la Universidad de Catania. Y cada año, las personas que asisten a este programa son, en la mayoría de los casos, contratadas por ST. Esto representa un punto importante de colaboración para nosotros”, comentó Ferrara.

Abordando el mercado chino

Ferrara también destacó la importancia de la empresa conjunta de ST con la compañía Sanan de origen chino. Subrayó que con China representando más del 40% de las ventas globales de vehículos eléctricos, la presencia local es esencial.

“Para tener éxito en China, necesitas ser un proveedor local. Nuestra empresa conjunta con Sanan garantiza acceso a sustratos de alta calidad y nos posiciona como un actor clave en el mercado”, explicó.

A través de esta asociación, ST obtiene una ventaja estratégica para servir al mercado chino mientras mantiene el control sobre el proceso de producción. Las obleas se procesarán en la fábrica de ST en Shenzhen, lo que permitirá satisfacer eficientemente la demanda de esta región clave.

A medida que crece la demanda de SiC en los sectores automotriz e industrial, STMicroelectronics está duplicando sus inversiones, asociaciones e innovaciones. Con su experiencia, visión estratégica y enfoque en la excelencia tecnológica, la compañía busca desempeñar un papel fundamental en la revolución global del SiC.

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