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Semiconductores |
Toshiba aumentará producción con nueva fábrica de obleas de 300 mm
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation afirmó que construirá una nueva instalación de fabricación de obleas de 300 mm (12 pulgadas) para semiconductores de potencia en su principal base de producción de semiconductores discretos, Kaga Toshiba Electronics Corporation, en la prefectura de Ishikawa.
La construcción se llevará a cabo en dos fases —lo que permitirá a la empresa optimizar el ritmo de las inversiones en función de la evolución del mercado— y el inicio de la producción de la fase 1 está previsto para el año fiscal 2024. Cuando la fase 1 alcance su plena capacidad, la capacidad de producción de semiconductores de potencia de Toshiba será 2,5 veces superior a la del año pasado, indicó la empresa en un comunicado de prensa.
