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Semiconductores |
DENSO y USJC colaboran en producción de IGBT de 300 mm
DENSO y United Semiconductor Japan (USJC), una filial de la fundición de semiconductores global UMC, han acordado colaborar en la producción de semiconductores de potencia en la fábrica de 300 mm (12 pulgadas) de USJC.
Se instalará una línea de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT, por sus siglas en inglés) en la fábrica de obleas de USJC, que será la primera de Japón en producir IGBT en obleas de 300 mm. DENSO contribuirá con sus tecnologías de dispositivos y procesos IGBT orientados a sistemas, mientras que USJC aportará su capacidad de fabricación de obleas de 300 mm para llevar el proceso IGBT de 300 mm a la producción en masa, cuyo inicio está previsto para el primer semestre de 2023.
