© Samsung Electronics
Fabricación electrónica |
Samsung comienza producción de nodo de proceso de 3 nm con GAA
Samsung Electronics anunció que ha comenzado la producción inicial de su nodo de proceso de 3 nanómetros que aplica arquitectura de transistores GAA, MBCFET.
La empresa afirma que el nuevo proceso optimizado de 3 nm consigue reducir el consumo de energía en un 45 por ciento, mejorar el rendimiento en un 23 por ciento y reducir la superficie en un 16 por ciento en comparación con el proceso de 5 nm.
Samsung está iniciando la primera aplicación del transistor a nanoescala con chips semiconductores para aplicaciones informáticas de alto rendimiento y bajo consumo, y tiene previsto ampliarla a procesadores móviles.
Para el proceso de 3 nm de segunda generación, Samsung espera reducir el consumo de energía hasta en un 50 por ciento, mejorar el rendimiento en un 30 por ciento y reducir la superficie en un 35 por ciento.
