Toshiba ampliará la capacidad de producción de semiconductores
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation anunció hoy que construirá una nueva planta de producción back-end para semiconductores de potencia en su sede Himeji-Semiconductor, en la prefectura de Hyogo en Japón Occidental.
La construcción comenzará en junio de 2024, programándose el inicio de la producción en la primavera de 2025. El proyecto tendrá más del doble de la capacidad de producción de semiconductores de potencia de Toshiba en Himeji en comparación con la del año fiscal 2022.
Los dispositivos de potencia son componentes esenciales para gestionar y reducir el consumo de energía en todo tipo de equipos electrónicos y para ahorrar energía. Además de todos los otros productos, se espera ver que la demanda de MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) de bajo voltaje, un enfoque tecnológico de Toshiba, siga creciendo con el progreso de la electrificación de vehículos y la automatización de equipos industriales. Toshiba ha decidido satisfacer el crecimiento de la demanda con la construcción de la nueva planta back-end.
En el futuro, Toshiba expandirá su negocio de semiconductores de potencia e impulsará la competitividad ofreciendo productos de alta eficacia y alta fiabilidad en respuesta a la demanda en rápido crecimiento y contribuir a la neutralidad en carbono.
