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© GlobalFoundries
Semiconductores |

GF adquiere la tecnología RAM resistiva no volátil de Renesas

GlobalFoundries ha adquirido la tecnología de memoria de acceso aleatorio de puenteo conductor (CBRAM, por sus siglas en inglés) de Renesas, patentada y probada en producción, una solución de memoria de bajo consumo diseñada para permitir una serie de aplicaciones en IdC doméstico e industrial, y en dispositivos móviles inteligentes.

El objetivo de la transacción es reforzar aún más la cartera de memorias de GF y ampliar su hoja de ruta de soluciones de memoria no volátil (NVM, por sus siglas en inglés) embebida añadiendo otra solución de memoria embebida fiable y personalizable. GF afirmó que esta tecnología permitirá a sus clientes diferenciar aún más sus diseños de centro de operaciones de seguridad, lo que también creará una nueva generación de dispositivos seguros e inteligentes.

Ya en 2020, GF firmó un acuerdo de licencia con Dialog Semiconductor, que más tarde fue adquirida por Renesas en 2021, para ofrecer su tecnología CBRAM como una opción NVM integrada.


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